一种用于异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)的紧凑型漏电流模型,其中包括双子带的二维电子气(2DEG)密度解
来源:A compact drain current model for heterostructure HEMTs including 2DEG density solution with two subbands(Solid-State Electronics 16年) 摘要 本文提出了一种针对异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)的二维电子气(2DEG)电荷密度…
2024-09-24