EG3013 是一款专用于大功率 MOS 管和 IGBT 管栅极驱动的半桥驱动芯片，其核心功能是通过控制 MOS/IGBT 的开关状态来间接调节负载电流。以下是其电流控制的具体实现方式及相关设计要点：
- 输入信号控制电流路径
逻辑信号输入：
EG3013 的 HIN（高电平有效）和 LIN（低电平有效）输入通道分别控制高端（HO）和低端（LO）MOS 管的开关状态。通过调节输入信号的 PWM 占空比，可控制 MOS 管的导通时间，从而调整流经负载的平均电流268。
示例：在无刷电机驱动中，HIN 和 LIN 的时序控制可实现三相电流的换向，进而调节电机转速和扭矩。
死区时间控制：
芯片内部集成 死区控制电路，确保高端和低端 MOS 管不会同时导通，避免短路电流造成的损坏。这一功能通过精确控制开关时序，间接优化电流波形并提高系统可靠性268。
- 驱动能力与开关速度
大电流栅极驱动：
EG3013 采用 半桥达林顿输出结构，提供 1A 的峰值驱动电流，能够快速对 MOS 管栅极电容充放电，缩短开关时间（上升/下降沿），从而减少开关损耗并提升电流控制效率269。
优势：适用于低频电机控制（如电动自行车、水泵），避免高频应用中的延迟问题911。
自举升压电路：
通过外接 自举电容 和二极管，可为高端 MOS 管提供悬浮电源，确保栅极驱动电压足够（如 80V/100V 耐压），使 MOS 管完全导通，降低导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高电流承载能力68。
- 外围电路设计
电流检测与反馈：
虽然 EG3013 本身不集成电流反馈功能，但可通过外接 采样电阻（RSENSE） 和运算放大器，实时检测负载电流，结合 MCU 实现闭环控制（如 PID 算法）911。
示例：在电机驱动中，采样电阻串联在低端 MOS 管回路，检测电流后反馈至控制器，动态调整 PWM 占空比以限制过流。
电源电压配置：
EG3013 的 VCC 电源范围（4.5V–30V）和 高端耐压（80V/100V）允许适配不同电压等级的负载。合理选择电源电压可优化驱动能力与功耗平衡68。
- 保护功能与电流限制
闭锁功能：
内置闭锁电路可彻底杜绝上下管同时导通，避免短路电流冲击，保护 MOS 管和电源系统268。
过流保护（需外置）：
结合外部电流检测电路和 MCU，可在过流时关闭 HIN/LIN 输入信号，或触发硬件保护（如快速关断驱动信号）911。
- 应用场景与优化建议
典型应用：
电动车辆控制器：通过 PWM 控制电机电流，实现调速和扭矩调节8。
变频水泵：调节泵机电流以匹配流量需求6。
Class-D 功放：控制开关频率和电流波形，优化音频输出质量8。
高频应用限制：
EG3013 的开关速度较慢，适用于 低频控制（如电机启停、正反转），若用于高频场景（如 LED 调光），需选择更高频的驱动芯片911。
总结
EG3013 通过 逻辑信号输入、死区控制 和 大电流驱动能力 实现对 MOS/IGBT 开关状态的精确控制，从而间接调节负载电流。其设计需结合 外围电路（如自举电容、采样电阻）和 保护机制 以优化性能与可靠性。对于闭环电流控制，需依赖外部检测与 MCU 算法协同工作。实际应用中需根据负载特性（如电压、频率）选择合适的设计方案。