MOS管的漏-栅-源三极
漏极开路--开漏
电路整体概述
这是开漏（Open - Drain）电路结构，核心由输出控制模块和一对互补的MOS管（P - MOS和N - MOS）组成。开漏电路的特点是MOS管漏极开路，这种结构常用于需要实现线与功能、电平转换等场景。
两个MOS管的触发条件和工作状态
1. P - MOS管
- 触发条件：P - MOS管导通取决于栅源电压 \( V_{GS} \) ，当 \( V_{GS} \) 小于其阈值电压 \( V_{thp} \)（一般为负值）时导通。在该电路中，若输出控制模块使P - MOS管栅极电压相对源极（接Vdd ）足够低，满足 \( V_{GS}< V_{thp} \) 条件，P - MOS管就会导通。
- 工作状态：导通时，P - MOS管相当于闭合开关，电流可从Vdd流向输出节点。但在开漏结构中，若外部无上拉电阻，仅P - MOS管导通也不能使输出为高电平。截止时，P - MOS管相当于断开开关，阻止Vdd与输出节点间的电流通路。
2. N - MOS管
- 触发条件：N - MOS管导通依赖于 \( V_{GS} \) 大于其阈值电压 \( V_{thn} \)（一般为正值）。当输出控制模块使N - MOS管栅极电压相对源极（接Vss ）足够高，满足 \( V_{GS}> V_{thn} \) 条件，N - MOS管导通。
- 工作状态：导通时，N - MOS管相当于闭合开关，将输出节点拉至接近Vss电位，即输出低电平。截止时，N - MOS管相当于断开开关，输出节点与Vss间的电流通路被切断。
电路工作过程
- 输出低电平：当输入为0，经输出控制模块使N - MOS管栅极电压升高导通，P - MOS管栅极电压升高截止。此时输出节点通过导通的N - MOS管连接到Vss，输出低电平。
- 输出高阻态：当输入为1，经输出控制模块使N - MOS管栅极电压降低截止，P - MOS管栅极电压降低也截止。由于两个MOS管均截止，输出节点与Vdd和Vss都无直接连接，呈现高阻态。在开漏电路中，要使输出呈现高电平，需外部接上拉电阻，此时若接上拉电阻，输出节点会被拉至高电平。