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推出一系列GaN功率放大器: QPA2211、QPA2211D、QPA2212、QPA2212D、QPA2212T,支持卫星通信和5G基础设施。

2024/12/23 11:35:16 来源:https://blog.csdn.net/u014084826/article/details/139885214  浏览:    关键词:推出一系列GaN功率放大器: QPA2211、QPA2211D、QPA2212、QPA2212D、QPA2212T,支持卫星通信和5G基础设施。

推出用于支持支持卫星通信和5G基础设施的GaN功率放大器:
QPA2211
QPA2211D
QPA2212
QPA2212D
QPA2212T

QPA2211 10W GaN功率放大器是一款Ka波段功率放大器,采用0.15µm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。该放大器的工作频率范围为27.5GHz至31GHz,线性功率为5W,互调失真积低于−25dBc,小信号增益为24dB。

QPA2211放大器采用10引脚15.2mm x 15.2mm x 3.5mm螺栓朝下封装,具有Cu基座,可实现出色的热管理。为简化系统集成,QPA2211可完全匹配至50Ω,在两个I/O端口上集成了直流阻断电容器。QPA2211功率放大器非常适合用于支持卫星通信和5G基础设施。

特征
频率范围:27.5GHz至31GHz
41dBm PSAT (PIN=24dBm)
26% PAE (PIN=24dBm)
17dB功率增益 (PIN=24dBm)
小信号增益:24dB
−25dBc IMD 3(POUT=34dBm/音调)
VD=22V,IDQ=280mA偏置
封装尺寸:15.2mm x 15.2mm x 3.5mm
封装底座采用纯铜材料,可提供出色的热管理

QPA2211D GaN Ka波段功率放大器的工作频率范围为 27.5GHz至31GHz,支持卫星通信和5G基础设施。该放大器采用Qorvo的0.15u碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 工艺制造而成。

特征
频率范围:27.5GHz至31GHz
PSAT (PIN=24dBm):> 41.5dBm
PAE (PIN=24dBm):> 34%
功率增益 (PIN=24dBm):> 17dB
IMD3(34dBm/tone时):< −25dBc
小信号增益:> 26dB
偏置:VD = 22V,IDQ = 280mA
芯片尺寸:2.740mm x 2.552mm x 0.050mm

QPA2212 Ka20W GaN功率放大器设计用于在27.5GHz至31.0GHz频率范围内工作,因此非常适合用于支持卫星通信和5G基础设施。为简化系统集成,QPA2212可完全匹配至50Ω,在两个I/O端口上集成了直流阻断电容器。

该器件采用Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。

QPA2212 100%通过晶圆上直流和射频测试,以确保符合电气规范。

特征
频率范围:27.5GHz至31GHz
出色的线性功率,用于宽带通信系统
输出功率:20W
饱和功率 (PSAT):43dBm
线性功率:10W(25dBc IMD3时)
信号增益:33dB
方便的法兰安装封装
符合RoHS指令,无铅

QPA2212D GaN功率放大器采用0.15µm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。该放大器的工作频率范围为27.5至31 GHz,饱和输出功率为25 W。

特征
频率范围:27GHz至31GHz
输出功率:44dBm(29GHz时典型值)
功率附加效率:25%(29GHz时典型值)
小信号增益:22.7dB(29GHz时典型值)
输入回波损耗:17dB(29GHz时典型值)
输出回波损耗:14dB(29GHz时典型值)
功率耗散:80.3W(+85°C时)
漏极电压:29.5V
栅极电压范围:-5V至0V
工作温度范围:–40°C至+85°C
3.630mm x 5.040mm x 0.050mm裸片
无铅、无卤、符合RoHS指令

QPA2212T是一款Ka波段片上芯片功率放大器,采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺(QGaN15)制造。工作频率范围为27.5至31 GHz,饱和输出功率为25 W。

为了简化系统集成,QPA2212T完全匹配50欧姆,在两个I/O端口上都集成了DC阻塞电容。

QPA2212T在片上经过100% DC和射频测试,以确保符合电气规格。

功能
频率范围: 27.5 - 31 GHz
PSAT: 43.4 dBm

GaN功率放大器: QPA2211、QPA2211D、QPA2212、QPA2212D、QPA2212T(明佳达)

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