1、LLC必须工作在感性区
2、为了降低LLC进入容性区后MOS管的电流应力，必须要选择快管，对体二极管的反向恢复参数有要求：trr<200ns
3、对于上下管的死区时间不能太短，否则电容无法充放电完成，就无法实现ZVS导通
如果在t3之后才开通，原来A点为0V，但是t3之后变成负电流，使得Cds2充电，A点电位又上升
变成硬开关
MOS管下管Q2在t3之后开通：
1、输入电压标准方波被破坏
2、MOS管再次开通是硬开关
1、LLC必须工作在感性区
2、为了降低LLC进入容性区后MOS管的电流应力，必须要选择快管，对体二极管的反向恢复参数有要求：trr<200ns
3、对于上下管的死区时间不能太短，否则电容无法充放电完成，就无法实现ZVS导通
如果在t3之后才开通，原来A点为0V，但是t3之后变成负电流，使得Cds2充电，A点电位又上升
变成硬开关
MOS管下管Q2在t3之后开通：
1、输入电压标准方波被破坏
2、MOS管再次开通是硬开关
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