正激变换器拓扑是一种常见的DC-DC电源拓扑结构，以下是关于它的详细介绍：
基本组成
- 主开关：通常为MOSFET，用于控制输入电压的通断。
- 变压器：实现电压隔离和电压变换，传递能量。
- 续流二极管：在开关关断时提供能量续流，保证输出电压的连续性。
- 储能电感：开关关闭时储存能量，开关打开时释放能量到输出端。
- 输出滤波电容：平滑输出电压，减小输出纹波。
工作原理
- 开关导通阶段：主开关管导通，输入电压加在变压器初级绕组上，初级绕组电流线性增加，磁芯储能，次级绕组产生感应电压，整流二极管导通，为负载供电，同时储能电感储存能量。
- 开关关断阶段：主开关管关断，初级电流切断，次级整流二极管截止，储能电感通过续流二极管向负载继续供电，变压器磁芯退磁，磁能通过复位绕组或其他复位方式回到电源或消耗掉。
磁复位技术
- 辅助磁通绕组复位：增加附加线圈，开关管关断时，磁化能量通过辅助磁通绕组回馈到电源，无损复位，但绕制难度大，体积大，需附加抑止尖峰电压电路，占空比不能超0.5。
- RCD箝位复位：开关管关断后，磁化能量部分转移到开关管并联电容，部分消耗在箝位电阻上。结构简单，关断电压箝位，占空比可大于0.5，但磁化能量损耗大，适用于廉价、效率要求不高的场合。
- LCD缓冲网络复位：开关管关断后，磁化能量存储在箝位电容中，开关管关断电压箝位在2Uin，LC中能量无损回馈到电源，效率高，但占空比最大为0.5，输入电压范围受限。
拓扑分类
- 按驱动管子个数分：有单管正激和双管正激。双管正激磁集成变换器是一种高频变压器磁芯双向磁化的电路拓扑，能有效减小开关管电流应力，输入输出电压增益高。
- 按拓扑结构的形式分：有单个变换器和串、并组合变换器。
优缺点
- 优点：电压应力小，开关管和二极管承受的电压应力较小；输出电流连续性好、纹波小，有利于稳定输出；能量传递效率较高，适用于中高功率应用场合。
- 缺点：变压器设计复杂，需要复位绕组，绕制复杂；高频率工作时，开关损耗和二次侧整流二极管的损耗较大；电路控制和设计比反激拓扑复杂。