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STM32 BootLoader 刷新项目 (十二) Option Byte之FLASH_OPTCR-命令0x58

STM32F407芯片的OPTION Byte全面解析

STM32F407芯片是STMicroelectronics推出的一款功能强大的微控制器，广泛应用于工业控制、通信和消费电子等领域。其中，OPTION Byte（选项字节）是STM32系列芯片的重要配置功能，允许用户通过配置特定的寄存器，控制芯片的关键特性，例如启动模式、读保护和写保护等。

本文将分为8个章节，全面解析STM32F407芯片的OPTION Byte功能。

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第一章：OPTION Byte 概述

1.1 什么是OPTION Byte？

OPTION Byte 是 STM32 系列芯片中一种特殊的配置区域，存储在片内闪存（Flash memory）中。它的主要作用是提供芯片启动、保护和工作模式等关键参数的配置选项。这些字节在系统启动时被加载到对应的配置寄存器中，影响芯片的行为。

1.2 OPTION Byte 的作用

OPTION Byte 的主要功能包括：

1. 启动模式配置：选择芯片从主Flash、系统存储器或SRAM启动。
2. 读保护（Read Out Protection, ROP）：保护芯片中的数据不被非法读取。
3. 写保护（Write Protection, WP）：保护指定的Flash区域不被擦除或写入。
4. BOR（Brown-Out Reset）电压等级：设置芯片的掉电检测电压等级。
5. Watchdog配置：使能或禁止独立看门狗（IWDG）在芯片复位后启动。

Option Byte由最终用户根据应用需求进行配置。表14显示了这些字节在用户配置扇区内的组织结构。

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1.3 Programming user option bytes

要在该扇区上执行任何操作，必须清除Flash选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)中的选项锁定位(OPTLOCK)。为了允许清除此位，您需要按照以下步骤进行操作：

1. 将Flash选项密钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)中的OPTKEY1设置为0x0819 2A3B。

2. 将Flash选项密钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)中的OPTKEY2设置为0x4C5D 6E7F。

用户选项字节可以通过软件设置OPTLOCK位来防止不必要的擦除/编程操作。

Modifying user option bytes on STM32F405xx/07xx and STM32F415xx/17xx

要修改用户选项值，请按照以下顺序进行操作：

1. 检查FLASH_SR寄存器中的BSY位，确保没有正在进行的Flash内存操作。
2. 将所需的选项值写入FLASH_OPTCR寄存器。
3. 在FLASH_OPTCR寄存器中设置选项启动位（OPTSTRT）。
4. 等待BSY位被清除。

1.4 Write protections

FLASH_OPTCR 是 STM32F407 芯片中用于控制和配置 Option Byte 的关键寄存器。通过操作该寄存器，可以设置各种与芯片启动模式、安全性以及电压保护相关的功能。以下是对 FLASH_OPTCR 寄存器的详细介绍。

Flash存储器中最多可以保护24个用户扇区，以防止由于程序计数器上下文丢失而导致的不必要写操作。当FLASH_OPTCR或FLASH_OPTCR1寄存器中的非写保护nWRPi位（0 ≤ i ≤ 11）为低电平时，相应的扇区将无法被擦除或编程。因此，如果其中一个扇区受到写保护，则无法进行全片擦除。如果尝试对Flash存储器中受写保护部分（由写保护位、OTP部分锁定或永远不能被写入的ICP组成）进行擦除/编程操作，则会在FLASH_SR寄存器中设置写保护错误标志（WRPERR）。

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FLASH_OPTCR 寄存器定义

FLASH_OPTCR 是一个 32 位寄存器，其各位或各位段控制特定的 Option Byte 配置。

位段	名称	说明
[0]	OPTLOCK	选项锁位（Option Lock）
[1]	OPTSTRT	选项启动位（Option Start）
[2:3]	BOR_LEV	掉电复位电压等级（Brown-Out Reset Level）
[4]	Reserved	保留位
[5]	WDG_SW	独立看门狗模式选择（Software or Hardware IWDG）
[6]	nRST_STOP	STOP模式复位禁用
[7]	nRST_STDBY	Standby模式复位禁用
[8:15]	RDP	读保护等级（Read Protection Level）
[16:27]	WRP	写保护配置（Write Protection for Flash Sectors）
[28:31]	Reserved	保留位

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各字段详细解析

1. OPTLOCK（Option Lock） [0]

• 说明：选项字节锁定位，用于保护 FLASH_OPTCR 寄存器不被意外修改。
• 值：
  • 1：锁定 Option Byte。
  • 0：解锁 Option Byte。
• 操作：需要先写入解锁密钥到 FLASH_OPTKEYR 寄存器，才能将此位清零解锁。

2. OPTSTRT（Option Start） [1]

• 说明：选项启动位，用于触发 Option Byte 的写入操作。
• 值：
  • 1：启动 Option Byte 写入。
  • 0：无操作。
• 操作：在修改完 Option Byte 配置后，需将该位设置为 1 以启动写入。

3. BOR_LEV（Brown-Out Reset Level） [2:3]

• 说明：配置 BOR 掉电复位的电压阈值。
• 值：
  • 0000：BOR Level 0（最低电压复位，1.8V 至 2.1V）。
  • 0001：BOR Level 1（1.9V 至 2.4V）。
  • 0010：BOR Level 2（2.1V 至 2.7V）。
  • 0011：BOR Level 3（2.4V 至 2.9V）。
  • 其他值：保留。
• 应用：在电源不稳定的场景中，可通过调整 BOR Level 确保 MCU 在电压异常时安全复位。

4. WDG_SW（Independent Watchdog Selection） [5]

• 说明：独立看门狗模式选择。
• 值：
  • 0：硬件模式（独立看门狗由硬件启动，不能由软件禁用）。
  • 1：软件模式（独立看门狗由软件启动，可以由软件控制）。
• 应用：在安全关键场景中，硬件模式更可靠；而软件模式适合需要灵活控制的应用。

5. nRST_STOP（Stop Mode Reset Disable） [6]

• 说明：STOP模式复位禁用。
• 值：
  • 0：启用 STOP 模式下的复位。
  • 1：禁用 STOP 模式下的复位。
• 应用：用于控制在进入 STOP 模式后，是否允许复位信号。

6. nRST_STDBY（Standby Mode Reset Disable） [7]

• 说明：Standby模式复位禁用。
• 值：
  • 0：启用 Standby 模式下的复位。
  • 1：禁用 Standby 模式下的复位。
• 应用：与 nRST_STOP 类似，用于控制芯片在 Standby 模式的复位行为。

7. RDP（Read Protection Level） [8:15]

• 说明：读保护等级。
• 值：
  • 0xAA：无保护（Level 0）。
  • 0xBB：读保护（Level 1）。
  • 其他：高强度保护（Level 2，数据不可访问且不可恢复）。
• 注意：
  • 一旦进入 Level 2，芯片的 Flash 区域永久锁定。
  • 从 Level 1 回到 Level 0 需要擦除整个 Flash。

8. WRP（Write Protection） [16:27]

• 说明：写保护设置，指定哪些 Flash 扇区受写保护。
• 值：每个位对应一个扇区，1 表示受保护，0 表示不受保护。
• 应用：在固件更新或调试时防止误擦写关键代码区域。

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使用 FLASH_OPTCR 的关键操作

1. 解锁 OPTION Byte

在写入 FLASH_OPTCR 之前，必须解锁 Option Byte：

FLASH->OPTKEYR = 0x08192A3B; // 解锁密钥1
FLASH->OPTKEYR = 0x4C5D6E7F; // 解锁密钥2

2. 配置 FLASH_OPTCR

修改寄存器中对应的字段。例如，启用读保护并设置 BOR 为 Level 3：

FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_RDP_0;       // 设置 RDP 为 Level 1
FLASH->OPTCR &= ~FLASH_OPTCR_BOR_LEV;    // 清除 BOR 配置
FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_BOR_LEV_2;   // 设置 BOR 为 Level 3

3. 启动写入

完成配置后，启动 Option Byte 写入：

FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_OPTSTRT; // 启动写入
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);    // 等待操作完成

4. 锁定 OPTION Byte

写入完成后，重新锁定寄存器：

FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_OPTLOCK;

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注意事项

1. 配置不可逆性：

   • 启用高强度读保护（RDP Level 2）后，Flash 数据无法访问且不可恢复。
   • 写保护或 RDP 配置的更改可能需要擦除整个芯片。

2. 操作期间电源稳定：

   • 写入 FLASH_OPTCR 时，如果电源中断可能导致芯片配置不完整，甚至不可用。

3. 调试工具可能受限：

   • 启用读保护或写保护后，调试接口（如 JTAG/SWD）可能受限或失效。

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总结

FLASH_OPTCR 是 STM32F407 OPTION Byte 配置的核心寄存器，允许用户灵活控制芯片的关键功能。通过正确配置该寄存器，可以在安全性、电源稳定性和启动模式等方面大大增强 STM32 应用的可靠性。

第二章：OPTION Byte 的应用场景

1. 安全数据保护

在需要对数据高度保护的场景，例如密码存储或商业机密数据处理，启用读保护功能（ROP）可以有效防止未经授权的访问。

2. 启动模式选择

在嵌入式开发中，不同应用可能需要芯片从不同的存储介质启动。例如：

• 开发阶段，可以选择从系统存储器启动，以便使用ST的内置Bootloader进行固件更新。
• 生产阶段，可以配置从主Flash启动，以运行正式固件。

3. 固件更新保护

通过启用写保护功能（WP），开发者可以锁定Flash的某些区域，防止意外或恶意擦写，从而保护固件的完整性。

4. 电源稳定性管理

在电源波动较大的场景中，通过调整BOR电压等级，确保芯片在特定电压下安全复位，避免错误行为。

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第三章：OPTION Byte 配置操作步骤

1. 确认配置需求

在更改OPTION Byte之前，确定需要配置的功能，例如启用读保护或调整BOR电压等级。

2. 解锁Flash控制器

在STM32F407中，OPTION Byte 存储在Flash中，因此需要解锁Flash控制器（Flash Control Register, FLASH_CR）以允许修改。

3. 修改OPTION Byte

通过操作特定寄存器（FLASH_OPTCR 或 FLASH_OPTCR1），将所需的配置值写入OPTION Byte。

4. 启动OPTION Byte 加载

配置完成后，触发重新加载以使更改生效。

5. 验证配置

通过读取相关寄存器，确认OPTION Byte的配置已成功应用。

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第四章：代码实现（详细注释）Demo示例

以下代码展示如何配置STM32F407的OPTION Byte，以启用读保护和调整BOR电压等级。

#include "stm32f4xx.h"// 函数声明
void Flash_Unlock(void);
void Configure_OPTION_Bytes(void);int main(void) {// 解锁Flash控制器Flash_Unlock();// 配置OPTION ByteConfigure_OPTION_Bytes();while (1) {// 主循环}
}// 解锁Flash控制器函数
void Flash_Unlock(void) {if ((FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) != 0) {// 解锁KEY1FLASH->KEYR = 0x45670123;// 解锁KEY2FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;}
}// 配置OPTION Byte函数
void Configure_OPTION_Bytes(void) {// 解锁OPTION Byteif ((FLASH->OPTCR & FLASH_OPTCR_OPTLOCK) != 0) {FLASH->OPTKEYR = 0x08192A3B; // 解锁KEY1FLASH->OPTKEYR = 0x4C5D6E7F; // 解锁KEY2}// 修改OPTION Byte// 启用读保护（Level 1）FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_RDP_0; // 配置BOR电压为Level 3（最严格）FLASH->OPTCR &= ~FLASH_OPTCR_BOR_LEV; // 清除BOR配置FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_BOR_LEV_2; // 设置BOR为Level 3// 启动OPTION Byte写入FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_OPTSTRT;// 等待操作完成while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0);// 锁定OPTION ByteFLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_OPTLOCK;
}

代码解析

1. 解锁Flash控制器和OPTION Byte

   • STM32的Flash和OPTION Byte均受锁机制保护，需先解锁后才能修改。

2. 设置读保护和BOR等级

   • 使用 FLASH_OPTCR 寄存器进行配置。
   • 读保护（RDP）设为 Level 1（禁止非法读取）。
   • BOR电压配置为 Level 3（最高复位电压）。

3. 触发写入并等待完成

   • 设置 OPTSTRT 位后，硬件会自动将更改写入Flash。

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第五章：使用OPTION Byte的注意事项

1. 配置的不可逆性

某些配置（如读保护启用）具有不可逆性。一旦启用，降低保护等级可能需要擦除整个芯片数据。

2. 注意芯片的电源状态

在配置OPTION Byte时，确保芯片电源稳定，否则可能导致写入失败或数据损坏。

3. 调试时的风险

调试过程中，不建议随意更改OPTION Byte，尤其是启用读保护后，调试接口可能失效。

4. 启用写保护的影响

启用写保护后，程序固件的某些部分将无法更新。需提前规划好保护区域。

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总结

STM32F407芯片的OPTION Byte功能强大，提供了多种关键配置选项。在实际应用中，开发者需要根据需求谨慎配置，以确保芯片的安全性和稳定性。通过本教程的详细步骤和代码示例，相信您已经掌握了如何在STM32F407上高效使用OPTION Byte功能，为嵌入式项目提供强有力的支持。

下面我们开始介绍BootLoader的使能读写保护命令。

第六章：0x58命令介绍–使能读写保护

在本篇文章，我们的主要是介绍0x58的命令，这个命令主要是在BootLoader中使能Flash Sector的读写保护。

通过上位机发送8 Byte的数据，其中第1 Byte为整个数据的长度，第2Byte为指令码，第3 Byte为写入要保护Sector段，第4 Byte是保护模式，1是写保护，2是读写保护，5-8 Byte为前4 Byte的CRC校验值，上位机通过串口UART发送给下位机，下位机回复地址是否写入成功的标志。

下面是发送命令过程中上位机与BootLoader之间的交互。

第七章：使能读写保护-0x58 命令BootLoader程序设计

代码逻辑和功能解释

1. bootloader_uart_read_data() 函数

void bootloader_uart_read_data(void) 
{ uint8_t rcv_len = 0; printmsg_Host("BL_DEBUG_MSG: Receive CMD\n\r"); // 调试信息：接收命令 while (1) { // 点亮LED，表示进入命令处理HAL_GPIO_WritePin(LED2_GPIO_Port, LED2_Pin, GPIO_PIN_RESET); // 清空接收缓冲区memset(bl_rx_buffer, 0, 200); // 步骤1：接收命令包的第一个字节（长度字段）HAL_UART_Receive(C_UART, bl_rx_buffer, 1, HAL_MAX_DELAY); rcv_len = bl_rx_buffer[0]; // 步骤2：根据长度字段接收剩余的命令包HAL_UART_Receive(C_UART, &bl_rx_buffer[1], rcv_len, HAL_MAX_DELAY); // 步骤3：根据命令代码调用对应的命令处理函数switch (bl_rx_buffer[1]) { case BL_GET_VER: bootloader_handle_getver_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_GET_HELP: bootloader_handle_gethelp_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_GET_CID: bootloader_handle_getcid_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_GET_RDP_STATUS: bootloader_handle_getrdp_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_GO_TO_ADDR: bootloader_handle_go_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_FLASH_ERASE: bootloader_handle_flash_erase_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_MEM_WRITE: bootloader_handle_mem_write_cmd(bl_rx_buffer); break; case BL_EN_RW_PROTECT: bootloader_handle_en_rw_protect(bl_rx_buffer); break; case BL_MEM_READ: bootloader_handle_mem_read(bl_rx_buffer); break; default: // 如果命令无效，打印调试信息printmsg("BL_DEBUG_MSG: Invalid command code received from host \n"); break; } } 
}

功能：

• 这是引导程序的主要任务循环，负责接收主机通过 UART 发来的命令数据包并调用相应的处理函数。

逻辑解析：

1. 命令接收：

   • 使用 HAL_UART_Receive 接收数据：
     • 首先接收数据包长度字段（bl_rx_buffer[0]）。
     • 然后根据长度接收完整的命令数据包。
   • 通过命令码（bl_rx_buffer[1]）解析当前命令。

2. 命令分发：

   • 根据命令码，调用相应的处理函数：
     • 如 BL_GET_VER 调用 bootloader_handle_getver_cmd()。
     • BL_EN_RW_PROTECT 调用 bootloader_handle_en_rw_protect()。
   • 如果命令码无效，则打印调试信息。

总结：
bootloader_uart_read_data() 是引导程序的任务调度中心，通过 UART 接收命令并分发到相应的处理逻辑。

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2. bootloader_handle_en_rw_protect(uint8_t *pBuffer) 函数

void bootloader_handle_en_rw_protect(uint8_t *pBuffer) 
{ uint8_t status = 0x00; printmsg("BL_DEBUG_MSG: bootloader_handle_endis_rw_protect\n"); // 调试信息：处理读写保护命令 // 计算命令包的总长度uint32_t command_packet_len = bl_rx_buffer[0] + 1; // 提取主机发送的CRC32校验码uint32_t host_crc = *((uint32_t *)(bl_rx_buffer + command_packet_len - 4)); // 步骤1：校验CRC是否正确if (!bootloader_verify_crc(&bl_rx_buffer[0], command_packet_len - 4, host_crc)) { printmsg("BL_DEBUG_MSG: checksum success !!\n"); // CRC校验成功 // 发送ACK响应主机bootloader_send_ack(pBuffer[0], 1); // 步骤2：配置Flash扇区的读写保护status = configure_flash_sector_rw_protection(pBuffer[2], pBuffer[3], 0); printmsg("BL_DEBUG_MSG: flash erase status: %#x\n", status); // 打印保护配置状态 // 步骤3：将配置状态返回给主机bootloader_uart_write_data(&status, 1); } else { printmsg("BL_DEBUG_MSG: checksum fail !!\n"); // CRC校验失败 // 如果校验失败，发送NACKbootloader_send_nack(); } 
}

功能：

• 解析和处理 BL_EN_RW_PROTECT 命令，用于对闪存扇区进行读写保护的启用。

逻辑解析：

1. 解析命令数据包：

   • 计算数据包总长度：command_packet_len = bl_rx_buffer[0] + 1。
   • 提取数据包中的 CRC 校验值（末尾 4 字节）。

2. 校验数据完整性：

   • 调用 bootloader_verify_crc 对数据包进行 CRC 校验：
     • 如果校验成功：
       • 调用 bootloader_send_ack() 发送 ACK。
       • 调用 configure_flash_sector_rw_protection() 配置扇区保护。
       • 返回操作状态。
     • 如果校验失败：
       • 调用 bootloader_send_nack() 发送 NACK。

3. 处理闪存保护配置：

   • 从数据包中解析 pBuffer[2] 和 pBuffer[3]，确定扇区选择和保护模式。

总结：
bootloader_handle_en_rw_protect() 负责解析 BL_EN_RW_PROTECT 命令，实现对闪存扇区的读写保护配置，并通过 CRC 校验确保命令数据的完整性。

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3. configure_flash_sector_rw_protection(uint8_t sector_details, uint8_t protection_mode, uint8_t disable) 函数

uint8_t configure_flash_sector_rw_protection(uint8_t sector_details, uint8_t protection_mode, uint8_t disable)
{// Flash选项控制寄存器地址volatile uint32_t *pOPTCR = (uint32_t*) 0x40023C14;if(disable){// 禁用所有扇区的读写保护// 解锁选项字节配置HAL_FLASH_OB_Unlock();// 等待Flash完成当前操作while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) != RESET);// 清除OPTCR寄存器的第31位以禁用保护*pOPTCR &= ~(1 << 31);// 将所有与扇区相关的保护位设置为1（无保护）*pOPTCR |= (0xFF << 16);// 设置OPTSTRT位以启动选项字节编程*pOPTCR |= (1 << 1);// 等待Flash完成当前操作while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) != RESET);// 锁定选项字节配置HAL_FLASH_OB_Lock();return 0;}if(protection_mode == (uint8_t) 1){// 设置仅写保护// 解锁选项字节配置HAL_FLASH_OB_Unlock();// 等待Flash完成当前操作while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) != RESET);// 清除OPTCR寄存器的第31位*pOPTCR &= ~(1 << 31);// 设置写保护，修改相应扇区的位（sector_details指定了具体的扇区）*pOPTCR &= ~(sector_details << 16);// 设置OPTSTRT位以启动选项字节编程*pOPTCR |= (1 << 1);// 等待Flash完成当前操作while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) != RESET);// 锁定选项字节配置HAL_FLASH_OB_Lock();}else if (protection_mode == (uint8_t) 2){// 设置读写保护// 解锁选项字节配置HAL_FLASH_OB_Unlock();// 等待Flash完成当前操作while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) != RESET);// 设置OPTCR寄存器的第31位以启用读写保护*pOPTCR |= (1 << 31);// 配置选定扇区的读写保护*pOPTCR &= ~(0xff << 16);*pOPTCR |= (sector_details << 16);// 设置OPTSTRT位以启动选项字节编程*pOPTCR |= (1 << 1);// 等待Flash完成当前操作while(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_BSY) != RESET);// 锁定选项字节配置HAL_FLASH_OB_Lock();}return 0;
}

功能：

• 通过修改 FLASH 选项控制寄存器（OPTCR）实现对闪存扇区的读写保护配置。

逻辑解析：

1. 参数解析：

   • sector_details：扇区选择（通过每个位表示不同扇区）。
   • protection_mode：保护模式：
     • 1 表示仅写保护。
     • 2 表示读写保护。
   • disable：是否禁用所有保护。

2. 禁用保护：

   • 解锁选项字节（HAL_FLASH_OB_Unlock()）。
   • 清除保护位：
     • 清除 OPTCR 寄存器的第 31 位。
     • 设置扇区保护位为默认值（所有扇区解除保护）。
   • 启动保护配置（设置 OPTSTRT 位）。
   • 等待操作完成（检查 FLASH_FLAG_BSY 标志）。

3. 写保护：

   • 解锁选项字节。
   • 清除第 31 位，表示启用写保护模式。
   • 修改目标扇区的保护位。
   • 设置 OPTSTRT 位，启动保护配置。

4. 读写保护：

   • 解锁选项字节。
   • 设置第 31 位，表示启用读写保护模式。
   • 修改目标扇区的保护位。
   • 设置 OPTSTRT 位，启动保护配置。

总结：
configure_flash_sector_rw_protection() 实现了对闪存扇区保护配置的底层操作，包括禁用保护、写保护和读写保护的具体实现，直接操控 STM32 的 FLASH 寄存器。

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综合总结

1. 任务调度：
   • bootloader_uart_read_data() 是主任务函数，负责接收主机命令并调用对应处理逻辑。
2. 命令解析：
   • bootloader_handle_en_rw_protect() 是特定命令处理函数，用于启用闪存扇区保护，包含数据解析、CRC 校验及状态返回。
3. 硬件操作：
   • configure_flash_sector_rw_protection() 是底层函数，通过直接操作 FLASH 控制寄存器完成保护配置。

通过以上函数协同工作，STM32 引导程序能够接收主机命令并对闪存扇区实现灵活的保护管理。

第八章：BootLoader实战操作

下面是上位机的命令菜单，通过在终端调用Python脚本，然后在终端输入下位机连接的串口号，即可进入命令界面，目前可支持如下命令：

下面选择命令9，输入要保护的Flash的段，向下位机发送信息。

下面判断Flash保护是否成功，发送命令11，读出保护状态，发现Secotr 3，4，5处于写保护状态Write Protection。

下面输入命令13，关闭所有的段保护

在一次判断段保护状态，输入命令11，发现读写保护状态，发现所有保护状态处于No Protection，发现之前的命令13成功。

第九章. 系列文章

STM32 BootLoader 刷新项目 (一) STM32CubeMX UART串口通信工程搭建

STM32 BootLoader 刷新项目 (二) 方案介绍

STM32 BootLoader 刷新项目 (三) 程序框架搭建及刷新演示

STM32 BootLoader 刷新项目 (四) 通信协议

STM32 BootLoader 刷新项目 (五) 获取软件版本号-命令0x51

STM32 BootLoader 刷新项目 (六) 获取帮助-命令0x52

STM32 BootLoader 刷新项目 (七) 获取芯片ID-0x53

STM32 BootLoader 刷新项目 (八) 读取Flash保护ROP-0x54

STM32 BootLoader 刷新项目 (九) 跳转指定地址-命令0x55

[STM32 BootLoader 刷新项目 (十) Flash擦除-命令0x56](STM32 BootLoader 刷新项目 (十) Flash擦除-命令0x56-CSDN博客)

STM32 BootLoader 刷新项目 (十一) Flash写操作-命令0x57